应用等离子体处理可应用于所有的基材，甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化、等离子体清洗，等离子体镀膜也毫无问题。等离子体处理时的热负荷及机械负荷都很低，因此，低压等离子体也能处理敏感性材料。等离子刻蚀机的典型应用包括：等离子体清除浮渣光阻材料剥离表面处理各向异性和各向同性失效

随着主流半导体工艺技术由0.18μm逐渐转移到0.13μm工艺，以及最新的90nm工艺成功研发及投入使用。半导体器件的特征尺寸进一步减小，栅氧层的厚度越来越薄。90nm工艺中，栅氧层的厚度仅为1.2nm。如果等离子体刻蚀工艺控制不好，则非常容易出现栅氧层的损伤；同时，所使用的晶片

光学发射光谱法（OES）是使用最为广泛的终点检测手段。其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团所发射波长的光强的变化来实现终点检测。等离子体中的原子或分子被电子激发到激发态后，在返回到另一个能态时，伴随着这一过程所发射出来的光线。光线的强度变化可从反应腔室侧壁上的

控制方法run-to-run控制（R2R）模型预测控制（MPC）人工神经网络控制操作及判断1.确认万用表工作正常，量程置于200mV。2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类

由于等离子刻蚀工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，因此业界常用的测量方法有：虚拟测量（VirtualMetrology）等离子刻蚀过程控制示意图光谱测量（Opticalemissionspectroscopy）；等离子阻抗监控（Plasmaimpe

等离子体系统效应的过程转换成材料的蚀刻工艺。在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。冷热探针法将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。等离子刻蚀检验原理为冷热探针法，具体方法如下：热探针和N型半导体

1、硅片水平运行，机片高（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）；2、下料吸笔易污染硅片（等离子刻蚀去PSG后甩干）；3、传动滚轴易变形（PVDF，PP材质且水平放置易变形）；4、成本高（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。此外，有些等离子刻蚀机，如SCE等离子刻蚀机还具

原理感应耦合等离子体刻蚀法（InductivelyCoupledPlasmaEtch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极

ICP设备主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分。（1）预真空室预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，不受外界环境（如：粉尘、水汽）的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。（2）刻蚀腔体刻蚀腔体是ICP刻蚀设备的核心

等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时

蚀刻机可以分为化学蚀刻机及电解蚀刻机两类。在化学蚀刻中是使用化学溶液，经由化学反应以达到蚀刻的目的，化学蚀刻机是将材料用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。产品型号：自动单双面蚀刻机参数说明：编号：7198474316外形尺寸：2000×1120×1000mm加工版面：≤宽600

蚀刻机主要应用于航空、机械、标牌工业中，蚀刻机技术广泛地被使用于减轻重量(WeightReduction)仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等之加工。在半导体和线路版制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。也可对各种金属如：铁、铜、铝、钛金、不锈钢、锌版、等金属和金属制品的表面

电蚀刻是利用金属在以自来水或盐水为蚀刻主体的液体中发生阳极溶解的原理，（电解的作用下）将金属进行蚀刻，接通蚀刻电源，从而达到蚀刻的目的。市售的电解蚀刻机都是手动喷淋式的，并且都是以盐水为蚀刻溶液，功率有大小二种，优点：无污染，但只有蚀刻一个步骤无污染是不行的，其他工序也必须无污染

自动型蚀刻机：1、如今市场上所见到的自动型化学蚀刻机是通过高压喷淋及被蚀刻板直线运动形成连续不间断进料状态进行对工件腐蚀以提高生产效率；2、加大了喷淋与被蚀刻金属板的有效面积和蚀刻均匀程度，无论在蚀刻效果、速度和改善操作者的环境及方便程度，都优于泼溅式蚀刻；3、经反复实验喷射压力